据外媒 HPCwire 消息，Samsung 宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。Samsung 表示，新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域，保证性能释放。
HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片，能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层，减少漏电流，使得能耗降低 13%。Samsung 这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用，进一步确立了该品牌的领先地位。
除此之外，Samsung 还利用了 TSV 硅通孔技术，堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片，因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量。
Samsung 是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。这种工艺引入 DRAM 制造，Samsung 可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，助力医学研究、金融、自动驾驶、智慧城市等应用。
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